脑电芯片
单/双通道低功耗微伏(uV)级信号采集模拟前端
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概述 |
KS1091/KS1092内部集成了低噪声放大器、滤波器、内部基准和高精度低压降线性稳压器，和参考偏置电路。芯片具有低的噪声和高的共模干扰抑制，可精确地提取微伏级生物电信号（如脑电EEG），并进行放大滤波处理。 芯片的高输入阻抗支持金属干电极和织物电极条件下的信号获取。基于KS1091/KS1092的应用方案，外围元器件少可节省板级电路的面积和BOM成本。凭借其高精度、低功耗、高集成度等卓越性能，可应用穿戴脑电EEG检测，及其他微伏级微弱信号的传感采集。 |
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特性 |
芯片具有低至1µV的等效输入噪声和约105dB的共模噪声抑制能力，并可通过SPI接口灵活配置360-2720的放大倍数。芯片高的输入阻抗支持采用干电极或织物电极实现信号获取。内置精密电源支持2-3.7V范围的电源输入。芯片应用方案外围元件约5个，单通道动态功耗约125uA，并具有±4 kV HBM ESD等级。 |
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封装 |
KS1091/KS1092 采用3 mm * 3 mm、20引脚QFN封装。 |
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应用 |
穿戴脑电：脑注意力训练，睡眠监测，脑机接口，脑电EEG设备，意念控制 其他应用：脑控游戏，人机交互娱乐场景，脑控智能玩具，高精度微伏信号探测 |
单通道三电极参考设计电路
双通道五电极参考设计电路
